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William Shockley (物理学家) - 年齢、誕生日、経歴、事実、家族、純資産、身長など

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William Shockley
BornWilliam Bradford Shockley Jr, February 13, 1910, Greater London, England, United Kingdom
DiedAugust 12, 1989, Stanford, California, United States
NationalityAmerican
InstitutionsBell Labs, Shockley Semiconductor, Stanford University, Columbia University
Alma materMIT, Caltech
Known forPoint-contact transistor and GJT, Diffused-base transistor, Heterojunction bipolar transistor, Thyristor, BARITT diode, Shockley diode, Junction theory, BJT theory, FET theory, Deathnium, Deep-level trap, Deformation potential theory, Empty lattice approximation, Gradual channel approximation, Lucky electron model, Hot electron theory, Channel length modulation, Process variation, Ion implantation, Low-level injection, Through-silicon via, Transmission line measurement, Shockley diode equation, Shockley-Read-Hall recombination, Shockley partials, Shockley–Ramo theorem, Shockley states, Shockley–Queisser limit, Haynes-Shockley experiment, Read-Shockley equation, Van Roosbroeck-Shockley equation
Notable awardsNobel Prize in Physics (1956), Comstock Prize in Physics (1953), Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize (1953), Wilheln Exner Medal (1963), IEEE Medal of Honor (1980)

关于William Shockley

物理学家 William Shockley は二月月13日, 1910にLondon, Englandで生まれました. 彼は79歳で亡くなります, 八月月12日, 1989.

アメリカの物理学者であり、トランジスタの共同発明者であり、エレクトロニクス革命を先導し、シリコンバレーのエレクトロニクスブームに直接貢献しました。 彼の仕事のために、彼は1956年にノーベル物理学賞を共有しました。

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William Shockley成名前

William Shockley was born in the Zodiac sign 水瓶座 (The Water-Bearer), and 1910 is the year of the Chinese Zodiac Dog (狗).

彼はカリフォルニア工科大学とMITでの研究を終えた後、ニューヨークのベル研究所に加わり、カリフォルニア州マウンテンビューで彼自身の研究所を始めました。 彼の最高の従業員の多くを追い払った。 そのうち8人はフェアチャイルドセミコンダクターを設立し、彼自身の事業はベックマンインスツルメンツに売却されました。

William Shockley的成就

Hの父、ウィリアムヒルマンショックリーは鉱山技師であり、イギリスのロンドンで生まれました。

William Shockley的家庭生活

Heも

William Shockley协会

の優生学理論の熱心な支持者は、他の人種は白人よりも知的に劣っていて、彼らの高い出生率は人類全体に脅威を与えたと述べました。 TTM_TT! ウィリアム・ブラッドフォード・ショックレー・ジュニアは、アメリカの物理学者であり発明家です。 彼は、ジョン・バーディーンとウォルター・ブラッテンを含むベル研究所の研究グループのディレクターです。 3人の科学者は、1956年に「半導体の研究とトランジスタ効果の発見」で共同で物理学賞を受賞しました。 1950年代と1960年代にShockleyが新しいトランジスタ設計を商業化しようとしたこともあり、カリフォルニアの「シリコンバレー」は電子イノベーションのホットスポットになりました。 彼の人生の後半、スタンフォード大学の電気工学の教授として、ショックリーは人種差別と優生学の擁護者になりました。 ジャーナルインテリジェンスの2019年の研究では、彼は言及された55人の中で2番目に物議を醸している知的研究者であることがわかりました。 TTM_TT! 米軍科学評議会の人物TM_MTT!半導体物理学者TM_MTT!スタンフォード大学の電気工学教授TM_MTT!オリバーE.バックリーがコンデンサーマター賞を受賞TM_MTT!コロンビア大学の人々TM_MTT!IEEEメダルオブオナーTM_MTT!アメリカンエリートTM_M サンフランシスコベイエリアTM_MTT!シリコンバレーの人々TM_MTT!科学的racismTM_MTT!スタンフォード大学工学部TM_MTT!人種と知性をめぐる論争TM_MTT!ノーベル賞受賞者物理学TM_MTT!量子物理学者TM_MTT!実験物理学者TM_MTT!実験物理学者TM_MTT! アメリカ

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Reference: Wikipedia, Tiktok, Youtube, Instagram and Twitter.

关于著名的最新信息于1995年9月24日更新.